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硅酸盐学报
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  • 采用分子动力学方法对SiC单晶应变率敏感性及其失效机理进行了研究。模拟了室温下不同应变速率对立方SiC单晶[001]方向的拉伸行为的影响。当应变速率在0.01~10 ps–1时,拉伸强度随应变速率的提高而增加。拉伸过程中SiC晶体发生非晶转变导致强度提高。当应变率低于0.01 ps–1时,晶体在(1... [查看原文]
  • 通过两步有机反应制备出4-N, N-二甲胺基-4’-N’-甲基-氮杂茋的对甲苯磺酸盐(DAST)粉体,并利用重结晶法进行提纯。通过DAST的二维核磁共振(2D NMR)中同核相关谱(correlated spectroscopy, COSY)、异核单量子相干谱(heteronuclear singl... [查看原文]
  • 采用磁控溅射方法,以纯Si作为靶材,Ar和N2为溅射气体在3 300 mm宽幅的玻璃基片上制备出大面积均匀的金黄色阳光控制膜。利用X射线衍射、X射线光电子能谱和椭偏仪对不同工艺参数下薄膜的结构、组成和光学参数进行了表征。结果表明:金黄色阳光控制膜的主要成分为富硅氮化硅相;溅射功率和溅射气体通过影响薄... [查看原文]
  • 热场结构决定了晶体生长的热量、质量传输条件和晶体生长环境。利用专业晶体生长模拟软件CGSim,用数值模拟技术分析了晶体的温度场和应力场,研究了全钼热屏和钨钼复合热屏热场结构对蓝宝石晶体生长的影响。结果表明:钨钼复合热屏能够提供均匀的温度场,降低了晶体内部轴向和径向温度梯度以及晶体表面温度梯度,减小晶... [查看原文]
  • 用自制的双温区机械震荡管式炉合成了ZnGeP2多晶,单次合成量超过500 g。采用水平梯度冷凝法生长了质量为350~395 g的ZnGeP2单晶,单晶最大尺寸为25 mm×32 mm×165 mm。通过X射线粉末衍射、摇摆曲线以及红外透射光谱等研究了合成的多晶和生长的单晶品质。结果表明:晶体(100... [查看原文]
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